Новости

Денис Милахин
02.12.2024
Сибирские ученые разрабатывают технологию синтеза полупроводников для силовой и СВЧ-электроники — нового поколения систем связи и источников питания

Заведующий молодежной лабораторией № 8 Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) кандидат физико-математических наук Денис Сергеевич Милахин стал лауреатом конкурса молодых ученых–2024 по присуждению премий имени выдающихся ученых СО РАН, ему вручена награда имени Константина Константиновича Свиташева — за цикл работ «Разработка и создание нитрид галлиевых гетероэпитаксиальных структур на подложках кремния для элементной базы СВЧ и силовой наноэлектроники».

Результаты исследований, удостоенных премии, нужны для создания отечественной технологии синтеза нитрид-галлиевого полупроводникового материала на кремнии. Кремниевая подложка и выращиваемый на ней нитрид галлия обладают разными параметрами кристаллических решеток, а это — препятствие для роста качественного слоя. Но дешевизна и высокое кристаллическое качество кремниевой подложки, наличие пластин большого диаметра — привлекательны для промышленного применения, поэтому Д.С. Милахин с коллегами ищут способы решения задачи. В частности, первые результаты изложены в пяти работах, поданных на конкурс.