По результатам оценки результативности научных организаций присвоена 1-я категория (приказ ФАНО России № 157 от 30.03.2018).
23 ноября 2023 года директором ИФП СО РАН вновь избран академик РАН Латышев Александр Васильевич.
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) был создан в 1964 году на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР Постановлением Президиума АН СССР № 49 от
24 апреля 1964 года.
В 2003 г. Постановлением Президиума РАН от 1.07.03 г. № 224 Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников реорганизован в Институт физики полупроводников СО РАН путем присоединения к нему Института сенсорной микроэлектроники СО РАН в качестве филиала.
В 2005 г. Постановлением Президиума РАН от 29.11.05 г. № 274 к ИФП СО РАН присоединен Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, который в настоящее время является филиалом ИФП СО РАН. В 2006 г. Постановлением Президиума РАН от 26.12.06 г. № 400 Институту присвоено имя академика А.В. Ржанова.
В 2007 г. Постановлением Президиума РАН от 18.12.07 г. № 274 Институт переименован в Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН.
